背电极数字式万用表是在模拟指针刻度测量的基础上,用数字形式直接把检测结果显示出来的装置。...BP：液晶显示器背面公共电极的驱动端，简称“背电极”。
背接触层被接触层氧化铜为P型材料，前后接触层都是太阳能电池互联接触点，现在的技术是去掉前接触层（因为降低光线射入）而采用后接触技术，可提高电能转化率2~4%
CdTe吸收层CdTe与太阳光谱非常匹配，最适合于光电能量转换，是一种良好的PV材料，具有很高的理论效率（28%），一直被光伏界看重，是技术上发展较快的一种薄膜电池。
CdTe薄膜太阳能电池dTe与太阳光谱非常匹配，最适合于光电能量转换，是一种良好的PV材料，具有很高的理论效率（28%），一直被光伏界看重，是技术上发展较快的一种薄膜电池。
TCO层导电性能 TCO导电薄膜的导电原理是在原本导电能力很弱的本征半导体中掺入微量的其他元素，使半导体的导电性能发生显著变化。这些微量元素被称为杂质，掺杂后的半导体称为杂质半导体。氧化铟锡（ITO）透明导电玻璃就是将锡元素掺入到氧化铟中，提高导电率，它的导电性能在是最好的，最低电阻率达10-5?cm量级。
碲化镉作为一种重要的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料，晶体结构为闪锌矿型。具有直接跃迁型能带结构，晶格常数0.6481nm，禁带宽度1.5eV(25℃)，室温电子迁移率1050Cm2/(V s)，室温空穴迁移率80Cm2/(V s)，电子有效质量0.096。CdTe可以通过掺入不同杂质来获取n型或p型半导体材料。当用In取代Cd的位置，便形成n型半导体。当用Cu、Ag、Au取代Cd的位置，形成p型半导体。对于CdTe单晶，1017 cm-3的掺杂浓度是可以得到的，更高浓度的掺杂以及精确控制掺杂浓度比较困难，特别是p型掺杂，杂质在CdTe晶体中的溶解度极低。CdTe具有很高的光吸收系数（>5×105/cm），仅仅2 μm厚度的CdTe薄膜，在标准AM1.5条件下光学吸收率超过90%，最高理论转换效率高达28%。Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料是重要的半导体材料，至今难以制成大直径体单晶，许多材料多作成外延薄膜。已获重要应用的有碲化镉、硫化镉、硒化锌、硫化锌以及本族的固溶半导体材料碲镉汞(Hg1-xCdxTe)等。