介绍从铜基底石墨烯薄膜到氧化硅基底石墨烯的湿法转移技巧
工具/原料
PMMA、匀胶机、烘台、镊子、玻璃皿、裁刀、丙酮、氧化硅片、铜基底石墨烯、铜箔刻蚀液、去离子水、通风橱、PET基片1.5cm*1.5cm
方法：
1
取旋涂了PMMA的铜基底石墨烯一片，裁剪一片1cm*1cm大小的规则形状
3
刻蚀30分钟后，铜箔刻蚀干净
4
用PET基片将刻蚀完成后的石墨烯+PMMA层转移至去离子水中多次清洗
5
清洗完成后，用氧化硅片捞起PMMA+石墨烯层
6
将转移后的基片放于烘干器烘干，待自然冷却后，放于丙酮里去除PMMA
7
至此石墨烯完成从铜基底至氧化硅基底的转移过程
注意事项
1
铜箔被刻蚀的时间因铜箔的厚度、刻蚀液成分及浓度不同而不同，准确时间要视具体情况而定，
2
转移过程全程需要在通风橱中进行
3
穿戴好防护装备，防止刻蚀液、丙酮溅出，
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