启动电流和启动控制M5576上电后，通过整流后电压为连接到VDD脚的接地电容充电，当VDD脚的电压高于UVLO阈值时，芯片迅速启动。M5576启动电流非常低，高阻值启动电阻可减少功率损耗，并能在应用中稳定可靠的启动。
工作电流M5576工作电流低至1.8mA。扩展突发模式能够实现高效率和低工作电流。
软启动M5576上电后，在芯片启动期间，内部4ms的软启动来降低启动时的应力。当VDD达到VDD_OFF，SEN尖峰电压由0.15V逐渐升高增至最大。每次重启后都会重新软启动。
频率抖动干扰的改进M5576集成了频率抖动（开关频率调制）功能进行扩频，最大限度地降低了EMI带宽，简化了系统设计。
振荡器开关频率固定在65kHz ，PCB设计简化。电流检测和前沿消隐M5576是电流模式PWM控制，提供逐周期电流限制。开关电流是通过一个电阻接到SEN引脚来检测。内部的前沿消隐电路会屏蔽掉电压尖峰内部功率MOSFET的初始状态，由于缓冲二极管反向恢复电流和DRV功率MOSFET浪涌电流造成的检测电压尖峰，导致电流限制比较器被屏蔽，无法关断功率MOSFET。PWM的占空比是由SEN电流检测输入电压和COMP输入电压计算确定的。
跳周期模式操作在轻载或空载状态，开关电源的功耗来源于开关MOSFET的损耗、变压器磁心损耗和启动电路损耗，功率损耗的大小在于开关频率的比例。较低的开关频率，能降低功率损耗，从而节约了能源。开关频率在空载或轻载条件下自行调节，降低开关频率在轻载、空载的情况下可以提高转换效率。只有当VDD电压下降到低于预先设定的值且COMP电压处在适当状态的时候，DRV驱动才处于打开状态，否则，DRV驱动将处于关闭状态来最大程度的降低开关损耗和待机损耗。
内部同步斜坡补偿内部斜坡补偿电路是将一个斜坡电压加入SEN引脚输入电压来帮忙生成PWM信号，它大大提高了在CCM下的闭环稳定性，防止次谐波振荡，从而降低输出纹波电压。
驱动功率MOSFET是由专用DRV驱动功率开关驱动控制。DRV驱动强度越弱，功率管的导通损耗和MOSFET开关损耗就越大；而DRV驱动越强，直接影响EMI性能。一个很好的权衡方法为通过内置的图腾柱栅驱动设计，适当的驱动能力和DRV设计合适的死区时间来实现控制。通过这种设计很容易达到良好的电磁系统的设计和降低空载损耗的目的。
保护控制好的电源系统的可靠性需要有自动恢复特性的保护功能，包括逐周期电流限制（OCP），过载保护（OLP）和VDD的欠压保护（UVLO）；无锁存关闭功能还包括过温保护（OTP），固定或可调的VDD电压保护（OVP）。在全电范围内，OCP被补偿后达到恒定输出功率。在过载条件下，当COMP输入电压超过TD_PL功率极限阈值时，控制电路会关闭转换器。只有在输入电压低于阈值功率极限后才重新启动。