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当VGS固定VDS变化时,ID是如何随着VDS变化的?

对于MOS的特性,也许大家都是从课本上直接得到结果,其实可以通过仿真软件得到
工具/原料
1

PC

2

cadence

方法/步骤
1

打开仿真软件,画出逻辑图。从下图可以看出,ID是随着vds的增大而增大的。其实这就是我们知道的Early 效应。

2

当VDS增加时,衬底也是有电流的。如下图所示

3

其实栅端也是有电流的,在低频时通常可以认为栅端是开路的。

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一般情况下,IDS只考虑与VGS与VDS的关系。

5

当VDS固定时,IDS与VGS成比例变化。下列是瞬态波形图。

6

总的图如下,从图时可以看到电流随栅压和漏压的增加而增加的。

注意事项
1

通过仿真可以加深对特性的理解

2

最好把所有的图放在一起,全方面的理解和比较。

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