半导体CMOS工艺目前已经成为主流的集成电路制造工艺，对CMOS工艺的了解以及具体细节的掌握，可以有助于工艺仿真的准确性，对了解和构造ESD器件也很有益处。下面以CMOS工艺典型流程谈谈如何学习CMOS工艺。
工具/原料
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电脑
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网络
方法/步骤
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CMOS工艺的开始基于一块硅片，一般P型硅为主。硅片必须进行清洗，去除杂质，以避免对器件和电路性能造成影响。
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在硅片上做二氧化硅和氮化硅。氮化硅用来做掩蔽层，致密性较好，但如果直接生长在衬底上会带来极大应力，因此需要在硅片上先生长二氧化硅。
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氮化硅的淀积是用来做P阱的掩膜板的。干法去除掉氮化硅之后，离子注入硼离子，然后加热扩散形成P阱。
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利用类似的办法做出N阱。
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生长二氧化硅作为场氧隔离。
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接下来就是关键的栅氧生长和多晶硅作为栅极。栅氧质量的好坏决定了MOS管质量。栅的长度称为栅长，是MOS工艺的特征尺寸，一个关键参数。
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接下来是MOS管的源级和漏极的注入了。先进的CMOS工艺都会有LDD工艺用来降低热电子注入效应。
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下面就是后端工艺，包括接触孔和金属等等。
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CMOS工艺有几百道工序，核心层一般十几或者几十层。要掌握主要的工艺步骤，知道大致的原理，这对工艺仿真很有裨益，对改善ESD结构和性能也有辅助性帮助。
注意事项
CMOS工艺是用来形成MOS管的，但不仅仅只是MOS管，工艺所能提供的各种二极管，三极管以及SCR等器件都是ESD设计所偏爱的器件。
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