关于芯片级ESD的测试，对应的标准有人体模型（HBM)，机械模型(MM)，器件充电模型(CDM)，传输线脉冲模型(TLP)等等。这些模型依据不同的环境，模拟静电对芯片的放电情况，以确保芯片可以通过ESD测试，用于之后的集成系统中。下面以TLP测试来讲讲芯片级ESD测试的具体过程。
工具/原料
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TLP仪器
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探针台
方法/步骤
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芯片级ESD测试大致分成两大类：晶圆级的测试和芯片级的测试。这些测试需要用到探针台。
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晶圆就是还没有封装的芯片。利用探针台里的探针去扎晶圆上的测试窗口，完成测试。
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芯片级的测试就是利用探针台里的探针去接触封装好的芯片。由于探针比较细比较脆弱，因此要格外小心不要在接触过程中碰坏探针。
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通过TLP测试可以得到芯片的电流电压特性曲线，通过这些曲线可以得到芯片的钳位电压和动态电阻，一次击穿电压和二次击穿电压等等信息，分析这些数据可以有效的帮助我们检测芯片的ESD能力。
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除了可以得到电流电压曲线，TLP测试还提供漏电流曲线，通过这条曲线可以看出失效电流。通过一个简单的计算公式，可以近似得到HBM的失效电压：V=I*1500ohm。
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TLP测试根据上升电流和脉宽的时间分成普通TLP和VF（very fast）-TLP。普通TLP（上升时间10ns，脉宽100ns）可以跟HBM模型相比，而VFTLP（上升时间~0.1ns，脉宽~5ns）与CDM有相关性。如果没有HBM和CDM测试仪器，可以考虑用TLP测试代替。
注意事项
TLP测试是分析芯片ESD性能的重要工具，建议加强学习。