门保护二极管内置
方法/步骤
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XP162A12A6PR特点:低导通电阻:Rds(上)=0.17Ω@ VGS =-4.5V :Rds(上)=0.3Ω@ VGS=-2.5V超高速开关Dribing电压:-2.5V门保护二极管内置
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P沟道功率MOSFETDMOS结构小封装:SOT-89环保性:符合欧盟RoHS标准,无铅应用:笔记本电脑 移动电话、便携式电话 电源供应器 手机电池、计算机外设(软、硬驱动器、打印机、绘图机
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XP162A12A6PR特点:低导通电阻:Rds(上)=0.17Ω@ VGS =-4.5V :Rds(上)=0.3Ω@ VGS=-2.5V超高速开关Dribing电压:-2.5V门保护二极管内置
P沟道功率MOSFETDMOS结构小封装:SOT-89环保性:符合欧盟RoHS标准,无铅应用:笔记本电脑 移动电话、便携式电话 电源供应器 手机电池、计算机外设(软、硬驱动器、打印机、绘图机